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レーザー専用製品検索 結果一覧 検索結果53件
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優れたビーム品質、高安定性、モジュールタイプ小型半導体レーザー Lambda Beam
- キャンペーン
- 仕様更新
- 短納期
RG02
RGB Lasersystems GmbH
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- 300mW～1W
- <300mW
-
世界最小サイズのコンパクト設計の半導体レーザー、優れたビーム品質、低価格
コントローラーとUSB電源を搭載小型ダイオードレーザー Lambda mini
- キャンペーン
- 仕様更新
- 短納期
RG03
RGB Lasersystems GmbH
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- <300mW
-
固定ファイバー付きコンパクトレーザーモジュール
戻り光による損傷を大幅に軽減ファイバー出力の半導体レーザー Lambda Beam pigtailed
- キャンペーン
RG04
RGB Lasersystems GmbH
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
ワット
- <300mW
-
He-Cdレーザーの代替に最適。320 nm、最大200mW、狭線幅、優れた周波数安定度CW単一周波数DPSSレーザー
- 仕様更新
UL01
Skylark Lasers（旧：UniKLasers）
波長帯
- 緑(500nm～560nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
- 300mW～1W
- <300mW
-
原子時計に最適、ストロンチウム及びルビジウムの遷移周波数で発振量子技術用・超狭線幅CW(連続波)レーザー Solo QT
UL02
Skylark Lasers（旧：UniKLasers）
波長帯
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- 300mW～1W
- <300mW
-
中心波長450nm±10nm、ファイバー高出力〜最大12W、精密制御方式により高安定
低価格、高繰返しパルス（モジュレーション）仕様など特別仕様対応可青色高出力半導体レーザー PLSシリーズ
PG06
PRECISE GAUGES co.Ltd.
波長帯
- 青(400nm～500nm)
ワット
- >1W
-
コンパクト、最大1200 mJ@5Hzの高エネルギー発振を実現小型フラッシュランプ励起Qスイッチ ナノ秒Nd:YAGレーザー NL300シリーズ
- 仕様更新
EP42
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
- 300mW～1W
- <300mW
ジュール
- >1J
- 300mJ～1J
- 1mJ～300mJ
-
ナノ秒パルス、高パルスエネルギー 最大15 mJ、192 nm～2.6μmまで波長可変高エネルギー広帯域波長可変ナノ秒レーザー NT230シリーズ
EP60
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- 300mW～1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
最大250mJの高出力エネルギー、可搬可能モデル
高速波長掃引、テーブルトップモデル（PhotoSonus-T）波長可変光音響イメージング用光源 PhotoSonus M
EP27
EKSPLA
波長帯
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
医療機器への組み込みに対応、DPSSレーザーとOPOをひとつに、最大エネルギー 最大65 mJ@665～2600nm光音響イメージング用 高出力DPSS波長可変レーザー PhotoSonus X
EP57
EKSPLA
波長帯
- 緑(500nm～560nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 波長可変
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
ナノ秒、高エネルギー 最大90 mJ、192 〜 4400 nm、10/20Hzナノ秒波長可変レーザー（OPO）NT340シリーズ
- 仕様更新
EP35
EKSPLA
波長帯
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- <300mW
ジュール
- >1J
- 1mJ～300mJ
-
高繰り返し100 Hzにて高エネルギー150 mJ@1064nm、最短パルス幅2～4ns高出力ナノ秒LD励起QスイッチDPSSレーザー NL230シリーズ
- 仕様更新
EP08
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
長寿命・メンテナンスフリー、最大2.5kHzの繰り返し周波数において、高エネルギーを実現
組み込み用途に最適小型ナノ秒高繰返しLD励起固体レーザー NL200シリーズ
- 仕様更新
EP70
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
シングル縦モードDPSSオシレーター採用、エネルギー最大10J、パルス幅2～25ns、繰り返し周波数10Hzシングル縦モード（SLM）高エネルギーナノ秒Nd:YAGレーザー ANL SLMシリーズ
- 仕様更新
EP41
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
210 〜 2600 nmギャップフリー波長可変、高繰り返し周波数10kHz、線幅 <1.5cm-1可、最大0.7W出力ナノ秒挟線幅10kHz波長可変レーザー（OPO） NT262シリーズ
EP67
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- 300mW～1W
ジュール
- <1mJ
-
幅広い波長出力 210 〜 2600 nm、335 〜 2600 nm、2500 〜 4475 nm、ナノ秒パルス、1kHzの繰返し周波数ナノ秒高繰返し波長可変レーザー(OPO) NT240/NT250/NT270シリーズ
- 仕様更新
EP18
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 波長可変
-
パルス時間波形を任意（AWG）に制御
高エネルギー 最大10J、OPCPA励起に最適高エネルギー時間波形制御ナノ秒YAGレーザー ANL AWGシリーズ
EP40
EKSPLA
波長帯
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
1053 nm、エネルギー最大80J、ナノ秒100ps 〜 20ns高エネルギーナノ秒Nd:Glassレーザー ANL Nd:Glassシリーズ
EP73
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
小型でありながらも200mJ＠1064nm、125mJ＠532nmを出力、低価格小型ランプ励起ナノ秒パルス Nd:YAGレーザー
LO38
LOTIS TII
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- 300mW～1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
PLD、金属ターゲットに最適！低価格・短納期、優れた集光性、電源2年間保証。フラッシュランプ励起ナノ秒パルス Nd:YAGレーザー
- 短納期
LO37
LOTIS TII
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 300mJ～1J
- 1mJ～300mJ
-
半導体励起ナノ秒YAGレーザー半導体励起ナノ秒パルスNd:YAGレーザー
LO23
LOTIS TII
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
低価格のナノ秒クロムフォルステライトレーザーナノ秒パルスクロムフォルステライトレーザー
LO27
LOTIS TII
波長帯
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
小型・高信頼性・高安定度。2倍波から5倍波まで対応。ハーモニックジェネレーター/高調波発生ユニット
LO31
LOTIS TII
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- >1J
- 300mJ～1J
- 1mJ～300mJ
-
赤外～中赤外域波長可変、1400～16000 nm (7000～625 cm-1) 、ライン幅<5 cm-1ピコ秒赤外波長可変レーザー
- 仕様更新
EP20
EKSPLA
波長帯
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- 300mW～1W
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
ピコ秒パルス、高繰り返し1 kHz、波長可変 192 nm～可能ピコ秒波長可変レーザー PT403シリーズ
EP66
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
全固体高エネルギー、パルス幅＜28ps、高繰返し周波数最大1kHz/k高繰返しピコ秒Nd:YAGレーザーピコ秒高繰り返しLD励起固体レーザー PL2210シリーズ
- 仕様更新
EP12
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
フルDPSS、空冷、エネルギー最大140 mJ、パルス幅 20 〜 80 ps、繰り返し周波数 50 〜 100Hzピコ秒LD励起高エネルギー固体レーザー PL2230シリーズ
EP11
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
ピコ秒パルス、DPSSオシレーターとランプ励起アンプ、高エネルギー出力 最大100mJピコ秒高エネルギーLD/ランプ励起Nd:YAGレーザー PL2250シリーズ
- 仕様更新
EP21
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
-
ピコ秒波長可変、紫外 (193nm)から赤外 (16μm)までピコ秒光パラメトリック発生器(OPG)/差周波発生器（DFG) PGx01,PGx11シリーズ
- 仕様更新
EP19
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
-
最大2.2J高エネルギー、20 ～ 300ps、繰り返し周波数10Hz高エネルギーフラッシュランプ励起ピコ秒増幅器 APL HEシリーズ
EP69
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
高繰り返し 最大2kHz、パルスエネルギー150 ｍJ、パルス幅20 〜 300 ps、ダイオード励起固体ピコ秒増幅器高繰り返しダイオード励起ピコ秒増幅器 APL HPシリーズ
EP72
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
4チャンネル × 2200mJ @ 10Hz、8チャンネル × 130 mJ @ 1 kHz、パルス幅20 〜 300psマルチチャンネル・カスタム・ピコ秒増幅器 APL customシリーズ
EP68
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
- 1mJ～300mJ
-
-
最大10J高エネルギー、パルス幅5ns、繰り返し周波数10/20Hz、高エネルギー安定度0.5％(rms)マルチモード（MM）高エネルギーナノ秒Nd:YAGレーザー ANL MMシリーズ
EP43
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
エネルギー最大3.7J、最大1kHz繰り返し周波数、ナノ秒2 〜 500 ns高平均出力、高繰り返しナノ秒DPSS増幅器システム ANL HPシリーズ
EP44
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
短パルス、高パルスエネルギー、コンパクトサブナノ秒LD励起パッシブQスイッチレーザー
QS02
QS LASERS
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
低ジッターを実現サブナノ秒LD励起マイクロチップレーザー(アクティブQスイッチ)
SD03
Standa
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
小型・高ピーク出力サブナノ秒LD励起マイクロチップレーザー(パッシブQスイッチ)
SD01
Standa
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
マスターオシレータ／パワーアンプ一体型サブナノ秒LD励起レーザーシステム
SD02
Standa
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
- 300mW～1W
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
フェムト秒波長可変 (750 〜 960 nm, 375 〜 480 nm, 250 〜 320 nm, 210 〜 230 nm)、最大14mJ@1KHz、完全同期フェムト秒/ピコ秒パルス出力オプション高繰り返しOPCPA 波長可変フェムト秒レーザー UltraFlux HRシリーズ
EP25
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
- 300mW～1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
高強度TWレーザーシステム、パルスエネルギー最大1J、繰り返し周波数最大100Hz、パルス幅 10 fs可高エネルギーOPCPA 波長可変フェムト秒レーザー UltraFlux HEシリーズ
EP46
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
OPCPA*（光パラメトリックチャープパルス増幅）による1kHz高繰り返し、> 120 mJ、サブ8 fs、ピークパワー15 TW高繰り返しテラワットレーザーシステム UltraFlux Custom
EP51
EKSPLA
波長帯
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
-
フレキシブル、コンパクト、ハンドフリーの次世代超短パルスTi:サファイア増幅器次世代超短パルスTi:サファイア増幅器 RAEA
KP02
KMLabs
波長帯
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
極紫外から軟X線領域をカバーする高効率な高次高調波発生システムコヒーレント高次高調波発生システム XUUS
KP04
KMLabs
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
多彩な測定に使用可能、テーブルトップ波長可変EUV光源超短パルス極紫外(EUV)光源 Pantheon
KP03
KMLabs
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 波長可変
ワット
- 300mW～1W
ジュール
- <1mJ
-
業界初のエネルギー可変（VUV領域）ARPES用レーザー光源高繰返し真空紫外レーザー Hyperion VUV
KP06
KMLabs
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
コンパクト、 パルス幅12fs、ハンズフリーの超短パルスレーザー発振器超短パルスモードロックチタンサファイアレーザー発振器
KP07
KMLabs
波長帯
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 波長可変
ワット
- >1W
- 300mW～1W
ジュール
- <1mJ