- ホーム
- 製品情報
- 製品検索
- レーザー専用製品検索
- 検索結果一覧(レーザー専用)
レーザー専用製品検索 結果一覧 検索結果54件
-
超コンパクトな設計が、研究の省スペース化を実現！
優れたビーム品質、高安定性、モジュールタイプ！小型半導体レーザー Lambda Beam
RG02
RGB Lasersystems GmbH
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- 300mW～1W
- <300mW
-
世界最小サイズのコンパクト設計の半導体レーザー、優れたビーム品質、低価格
コントローラーとUSB電源を搭載小型ダイオードレーザー Lambda mini
RG03
RGB Lasersystems GmbH
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- <300mW
-
固定ファイバー付きコンパクトレーザーモジュール
戻り光による損傷を大幅に軽減ファイバー出力の半導体レーザー Lambda Beam pigtailed
RG04
RGB Lasersystems GmbH
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
ワット
- <300mW
-
コンパクト、最大1200 mJ@5Hzの高エネルギー発振を実現小型フラッシュランプ励起Qスイッチ ナノ秒Nd:YAGレーザー NL300シリーズ
- 仕様更新
EP42
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
- 300mW～1W
- <300mW
ジュール
- >1J
- 300mJ～1J
- 1mJ～300mJ
-
ナノ秒パルス、高パルスエネルギー 最大15 mJ、192 nm～2.6μmまで波長可変高エネルギー広帯域波長可変ナノ秒レーザー NT230シリーズ
EP60
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- 300mW～1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
最大250mJの高出力エネルギー、可搬可能モデル
高速波長掃引、テーブルトップモデル（PhotoSonus-T）波長可変光音響イメージング用光源 PhotoSonus M
EP27
EKSPLA
波長帯
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
医療機器への組み込みに対応、DPSSレーザーとOPOをひとつに、最大エネルギー 最大65 mJ@665～2600nm光音響イメージング用 高出力DPSS波長可変レーザー PhotoSonus X
EP57
EKSPLA
波長帯
- 緑(500nm～560nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 波長可変
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
ナノ秒、高エネルギー 最大90 mJ、192 〜 4400 nm、10 / 20Hzナノ秒波長可変レーザー（OPO）NT340シリーズ
- 仕様更新
EP35
EKSPLA
波長帯
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- <300mW
ジュール
- >1J
- 1mJ～300mJ
-
高繰り返し100 Hzにて高エネルギー150 mJ@1064nm、最短パルス幅2～4ns高出力ナノ秒LD励起QスイッチDPSSレーザー NL230シリーズ
- 仕様更新
EP08
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
長寿命・メンテナンスフリー、最大2.5kHzの繰り返し周波数において、高エネルギーを実現
組み込み用途に最適小型ナノ秒高繰返しLD励起固体レーザー NL200シリーズ
- 仕様更新
EP70
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
シングル縦モードDPSSオシレーター採用、エネルギー最大10 J、パルス幅2 ～ 25 ns、繰り返し周波数10 Hzシングル縦モード（SLM）高エネルギー Qスイッチ ナノ秒Nd:YAGレーザー NanoFlux SLM シリーズ
- 仕様更新
EP41
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
210 〜 2600 nmギャップフリー波長可変、高繰り返し周波数10kHz、線幅 <1.5cm-1可、最大0.7W出力ナノ秒挟線幅10kHz波長可変レーザー（OPO） NT262シリーズ
EP67
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- 300mW～1W
ジュール
- <1mJ
-
幅広い波長出力 210 〜 2600 nm、335 〜 2600 nm、2500 〜 4475 nm、ナノ秒パルス、1kHzの繰返し周波数ナノ秒高繰返し波長可変レーザー(OPO) NT240/NT250/NT270シリーズ
- 仕様更新
EP18
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 波長可変
-
パルス時間波形を任意（AWG）に制御
高エネルギー 最大10 J、OPCPA励起に最適高エネルギー時間波形制御ナノ秒YAGレーザー NanoFlux AWG シリーズ
- 仕様更新
EP40
EKSPLA
波長帯
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
1053 nm、エネルギー最大80 J、ナノ秒100 ps 〜 20 ns高エネルギーナノ秒Nd:Glassレーザー NanoFlux Nd:Glass シリーズ
EP73
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
小型でありながらも200mJ＠1064nm、125mJ＠532nmを出力、低価格小型ランプ励起ナノ秒パルス Nd:YAGレーザー
LO38
LOTIS TII
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- 300mW～1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
PLD、金属ターゲットに最適！低価格・短納期、優れた集光性、電源2年間保証。フラッシュランプ励起ナノ秒パルス Nd:YAGレーザー
- 短納期
LO37
LOTIS TII
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 300mJ～1J
- 1mJ～300mJ
-
半導体励起ナノ秒YAGレーザー半導体励起ナノ秒パルスNd:YAGレーザー
LO23
LOTIS TII
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
低価格のナノ秒クロムフォルステライトレーザーナノ秒パルスクロムフォルステライトレーザー
LO27
LOTIS TII
波長帯
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
小型・高信頼性・高安定度。2倍波から5倍波まで対応。ハーモニックジェネレーター/高調波発生ユニット
LO31
LOTIS TII
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- >1J
- 300mJ～1J
- 1mJ～300mJ
-
ピコ秒パルス、2300 〜 16000 nm 波⻑可変、⾼速波⻑掃引、4 cm-1波数分解能広帯域中⾚外ピコ秒波⻑可変レーザー PT501シリーズ
EP22
EKSPLA
波長帯
- 赤外(>1300nm)
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
赤外～中赤外域波長可変、1400 ～ 16000 nm (7000 ～ 625 cm-1) 、ライン幅<5 cm-1ピコ秒赤外波長可変レーザー PT277シリーズ
- 仕様更新
EP20
EKSPLA
波長帯
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- 300mW～1W
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
ピコ秒パルス、高繰り返し1 kHz、波長可変 192 nm～可能ピコ秒波長可変レーザー PT403シリーズ
EP66
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
全固体高エネルギー、パルス幅＜28ps、高繰返し周波数最大1kHz/k高繰返しピコ秒Nd:YAGレーザーピコ秒高繰り返しLD励起固体レーザー PL2210シリーズ
- 仕様更新
EP12
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
フルDPSS、空冷、エネルギー最大40 mJ、パルス幅 20 〜 80 ps、繰り返し周波数 50 〜 100Hzピコ秒LD励起高エネルギー固体レーザー PL2230シリーズ
EP11
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
ピコ秒パルス、DPSSオシレーターとランプ励起アンプ、高エネルギー出力 最大100mJピコ秒高エネルギーLD/ランプ励起Nd:YAGレーザー PL2250シリーズ
- 仕様更新
EP21
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
-
ピコ秒波長可変、紫外 (193nm)から赤外 (16μm)までピコ秒光パラメトリック発生器(OPG)/差周波発生器（DFG) PGx01,PGx11シリーズ
- 仕様更新
EP19
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
-
最大2.2 J高エネルギー、20 ～ 300 ps、繰り返し周波数10 Hz高エネルギーフラッシュランプ励起ピコ秒増幅器 PicoFlux HE シリーズ
- 仕様更新
EP69
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
高繰り返し 最大2 kHz、パルスエネルギー150 ｍJ、パルス幅20 〜 300 ps、ダイオード励起固体ピコ秒増幅器高繰り返しピコ秒DPSS増幅器システム PicoFlux HP シリーズ
- 仕様更新
EP72
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
4チャンネル × 2200 mJ @ 10 Hz、8チャンネル × 130 mJ @ 1 kHz、パルス幅20 〜 300 psカスタムピコ秒増幅器 PicoFlux custom シリーズ
- 仕様更新
EP68
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
- 1mJ～300mJ
-
-
最大10 J高エネルギー、パルス幅5 ns、繰り返し周波数10/20 Hz、高エネルギー安定度0.5 ％（rms）マルチモード（MM）高エネルギー Qスイッチナノ秒Nd:YAGレーザー NanoFlux MM シリーズ
- 仕様更新
EP43
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
エネルギー最大5J、最大1kHz繰り返し周波数、ナノ秒2 ns～500ns高平均出力、高繰り返しナノ秒DPSS増幅器システム NanoFlux HP シリーズ
- 仕様更新
EP44
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- >1J
-
短パルス、高パルスエネルギー、コンパクトサブナノ秒LD励起パッシブQスイッチレーザー
QS02
QS LASERS
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
低ジッターを実現サブナノ秒LD励起マイクロチップレーザー(アクティブQスイッチ)
SD03
Standa
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
小型・高ピーク出力サブナノ秒LD励起マイクロチップレーザー(パッシブQスイッチ)
SD01
Standa
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
マスターオシレータ／パワーアンプ一体型サブナノ秒LD励起レーザーシステム
SD02
Standa
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
- 300mW～1W
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
ピコ秒の精度が、分光の限界を超えていく。
最先端の時間分解分光を支えるダイオードレーザー技術ピコ秒ダイオードレーザー
BH05
Becker & Hickl GmbH
波長帯
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
-
超⾼速分光のために設計された光パラメトリック増幅器フェムト秒OPA波⻑可変レーザー FemtoTuneシリーズ
EP47
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 黄(560nm～600nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 赤外(>1300nm)
- 波長可変
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
フェムト秒波長可変 (750 〜 960 nm, 375 〜 480 nm, 250 〜 320 nm, 210 〜 230 nm)、最大14mJ@1KHz、完全同期フェムト秒/ピコ秒パルス出力オプション高繰り返しOPCPA 波長可変フェムト秒レーザー UltraFlux HRシリーズ
EP25
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 緑(500nm～560nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
- 300mW～1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
高強度TWレーザーシステム、パルスエネルギー最大1J、繰り返し周波数最大100Hz、パルス幅 10 fs可高エネルギーOPCPA 波長可変フェムト秒レーザー UltraFlux HEシリーズ
EP46
EKSPLA
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 青(400nm～500nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
OPCPA*（光パラメトリックチャープパルス増幅）による1kHz高繰り返し、> 120 mJ、サブ8 fs、ピークパワー15 TW高繰り返しテラワットレーザーシステム UltraFlux Custom
EP51
EKSPLA
波長帯
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
-
-
フレキシブル、コンパクト、ハンドフリーの次世代超短パルスTi:サファイア増幅器次世代超短パルスTi:サファイア増幅器 RAEA
KP02
KMLabs
波長帯
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
ワット
- >1W
ジュール
- 1mJ～300mJ
- <1mJ
-
極紫外から軟X線領域をカバーする高効率な高次高調波発生システムコヒーレント高次高調波発生システム XUUS
KP04
KMLabs
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
多彩な測定に使用可能、テーブルトップ波長可変EUV光源超短パルス極紫外(EUV)光源 Pantheon
KP03
KMLabs
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
- 波長可変
ワット
- 300mW～1W
ジュール
- <1mJ
-
業界初のエネルギー可変（VUV領域）ARPES用レーザー光源高繰返し真空紫外レーザー Hyperion VUV
KP06
KMLabs
波長帯
- 紫・紫外(<400nm)
ワット
- <300mW
ジュール
- <1mJ
-
コンパクト、 パルス幅12fs、ハンズフリーの超短パルスレーザー発振器超短パルスモードロックチタンサファイアレーザー発振器
KP07
KMLabs
波長帯
- 赤(600nm～750nm)
- 近赤外(750nm～1300nm)
- 波長可変
ワット
- >1W
- 300mW～1W
ジュール
- <1mJ