

高効率高次高調波発生システムXUUS 概要
高効率高次高調波発生システムXUUS は、KMLabs社が特許(US 6,151,155)を取得している「Hollow waveguide(中空導波管)」を採用した高次高調波発生システムです。
本システムは、極紫外から軟X線領域にわたる高次高調波を効率的に発生させることが可能となり、従来の高次高調波の発生方法と比較すると、大幅にガス消費量が低減します。
また当社取扱製品のドイツ SPECS社の光電子アナライザーと組み合わせると、最先端の「時間分解 ARPESシステム」を構築することが可能となります。
高NA・EUV干渉リソグラフィを実証
imec AttolabにてKMLabs社製13nmEUV光源を用いて、高NA・EUV干渉リソグラフィの実証を行いました。
https://www.kmlabs.com/news-and-events/attolab-13nm-highna-euv-interference-lithography(英文)
imec社 プレスリリース全文(英文)
特長
- 極紫外から軟X線領域までの波長変換がおこなえるフェムト秒の高次高調波
- KMLabs社の独自開発技術「Hollow waveguide(中空導波管)」による効率的な高次高調波の発生
- 大幅なガス消費量の低減
用途
- 時間分解ARPES
- アト秒パルス発生
- (時間分解)コヒーレントイメージング
使用例|テーブルトップでEUV光(極紫外光)*を発生
本システムと次世代超短パルスTi:サファイア増幅器 RAEAを組み合わせた製品「極紫外(EUV)超短パルス光源 Panthenon」は、
テーブルトップでEUV光(極紫外光)*の発生が可能になります。また他社の超短パルスレーザーと組み合わせて極端紫外光のビームラインを構築する事も可能です。
*極紫外領域の光とは
光電子分光やナノスケールイメージングなどの様々な測定に用いられ、また半導体リソグラフィーを筆頭として産業上においても重要なスペクトル領域です。
コヒーレント高次高調波発生システム XUUS 仕様
波長 | 30 nm | 13 nm | 6 nm |
光子数* | >5×1012 ph/sec per harmonic |
>1010 ph/sec per harmonic |
>106 ph/sec per10% BW |
繰返し周波数* | 1~20 | 1~10 | 1 |
ビーム位置* 安定性 |
<5µrad(rms) | <10µrad(rms) | |
パワー安定性* | <5%(rms) | <10%(rms) |
*励起レーザーに依存します
更新日 | 更新内容 | サイズ | ダウンロード |
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