製品概要
本装置は、既存の走査型電子顕微鏡(SEM)と組み合わせ、試料やデバイスに電子ビームを照射して得られるEBIC(Electron Beam Induced Current/電子線誘起電流)を測定し、半導体材料の結晶欠陥やデバイスの局所的な電気的特性を評価することができます。材料の欠陥箇所ではこの誘起電流は減少するため、欠陥は暗いコントラストとして識別されSEM像と比較することにより欠陥箇所の特定が可能です。
測定データ例
シリコン太陽電池の断面
左図：SEM像、右図：EBIC像
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