THz発生用GaSe/ZnTe結晶
高いレーザー損傷しきい値、高品質なTHzパルス発生

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THz発生用GaSe/ZnTe結晶 THz発生用GaSe/ZnTe結晶

製品概要

テラヘルツ発生用「GaSe」および「ZnTe」結晶は、高いレーザー損傷しきい値を特徴としており、高出力フェムト秒レーザーを使用して非常に高品質なTHzパルスを生成することが可能です。

GsSe結晶

THz生成に使用される「GaSe」(セレン化ガリウム)結晶は、最大41 THz の広い帯域幅を示します。

任意の周波数のテラヘルツ波発生と検出には、適切な厚さの「GaSe」結晶を使用する必要があります。
「GaSe」結晶は(001)面に沿ってのみ劈開できます。また、「GaSe」結晶は、非常に柔らかく壊れ易いでの取り扱いに注意が必要です。

製品一覧

GaSe Crystals, Z-Cut, cleaved, uncoated
型名 有効径 Orientation 厚み(mm) ホルダー(mm)
GaSe-10H1 ø 7 mm - 0.01 Φ 25.4
GaSe-30H1 ø 7 mm - 0.03 Φ 25.4
GaSe-100H1 ø 7 mm - 0.1 Φ 25.4
GaSe-500H1 ø 7 mm - 0.5 Φ 25.4
GaSe-1000H1 ø 7 mm - 1 Φ 25.4
GaSe-2000H1 ø 7 mm - 2 Φ 25.4

※ホルダーサイズは40 mm径もございますのでお問い合わせください。

ZnTe結晶

「ZnTe」(テルル化亜鉛)結晶は光整流効果によってTHz波を発生します。

広い帯域幅を持つフェムト秒レーザーパルスを入射させると、異なった周波数成分間での相互作用によってり0から数THzのTHz波が発生します。

「ZnTe」結晶は、IRディバイスや成膜基板としても使用できます。 なお、光を照射した際に「ZnTe」結晶内の微小な気泡が見えますが、THz発生には影響ありません。

製品一覧

ZnTe crystals are mounted into ø 25.4 mm open ring holder
型名 サイズ Orientation 厚み(mm) ホルダー(mm)
ZnTe-100H 10*10 mm 110 0.1 Φ 25.4
ZnTe-200H 10*10 mm 110 0.2 Φ 25.4
ZnTe-500H 10*10 mm 110 0.5 Φ 25.4
ZnTe-1000H 10*10 mm 110 1 Φ 25.4
ZnTe-2000H 10*10 mm 110 2 Φ 25.4
ZnTe-3000H 10*10 mm 110 3 Φ 25.4
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