近赤外域SPAD単一光子検出器

900~1700nmで高感度、低ジッター、100MHzの高カウントレート
小型、低価格、空間/ファイバー入射の選択可

メーカー名

MICRO PHOTON DEVICES(MPD)

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MD02
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製品概要|近赤外域SPAD単一光子検出器

InGaAsを使用したAPDになり、かつ単一光子レベルで計測できるSPAD(Single Photon Avalanche Diode)が登場しました。付属のソフトウェアで駆動方式をゲートモード、 フリーゲートモード、フリーランニングモードの3種類からお選びいただけます。また、量子効率、冷却温度、デッドタイム、ゲート幅、カウントレートなど多様な設定が可能です。 入射方式は、空間入射またはファイバー入射からお選びいただけます。

特長

  • 波長範囲:900~1700nm
  • 光検出素子:InGaAs材質のSPADセンサーを採用
  • タイミングジッター:100~130ps以下 (FWHM)
  • 最大カウントレート:100MHz
  • ゲート幅:1ns~1.5ms
  • ソフトウェア制御:各種パラメータ調整可能
  • 冷却方式:全モデル ペルチェ冷却(電子冷却)
  • 入射方式:空間入射もしくはファイバー入射

用途

  • 微弱光シングルフォトン検出
  • ピコ秒時間分解蛍光寿命測定(TCSPC)
  • 強度相関測定(アンチバンチング測定)
  • LiDER(Light Detection and Ranging)測定

量子効率曲線図

近赤外域PDM-Rシリーズ:空間入射タイプ

近赤外域PDM-Rシリーズ:ファイバー入射タイプ

製品仕様

近赤外域SPAD単一光子検出器 仕様

空間入射モデル

項目 Min. Typ. Max.
波長範囲 900 nm – 1700 nm
受光面積 – 25 um –
量子効率@1550 nm Vex=7V – 32 % –
タイミングジッター(FWHM) Vex=7V 100 ps 130 ps –
Vex=4V – 60 ps –
ダークカウント Vex=2V – 5kcps 10kcps
冷却温度 225 K – 243 K
バイアス電圧(Vex)範囲 フリーゲート
フリーラン
2 V – 5 V
固定ゲート 2 V – 7 V
ホールドオフ時間 10 nsステップ 1 us – 3000 us
ゲート幅 1 nsステップ 1 ns – 1.5 ms
内部カウントレート 1 Hzステップ 100 Hz – 100 MHz
遅延設定 1 nsステップ 0 – 100 ns
積算時間 20 msステップ 0.1 s – 60 s
NIM出力信号(Ptohon OUT) 振幅 -800 mV – 0 V
パルス幅 – 10 ns –
インピーダンス – 50 Ω –
TTL出力信号(カウントレート) 振幅 0 V – 2.7 V
インピーダンス – 50 Ω –
ゲート入力 振幅 -2 V – 2.5 V
パルス幅 800 ps – –
インピーダンス – 50 Ω –
インターフェイス – USB2.0 –

ファイバー入射モデル

項目 Min. Typ. Max.
波長範囲 900 nm – 1700 nm
受光面積 SMF28 – 10 um –
MMF50GI – 25 um –
量子効率@1550nm Vex=7V – 25 % –
タイミングジッター(FWHM) Vex=7V 90 ps 130 ps –
Vex=4V 50 ps 70 ps –
ダークカウント@Vex=2V SMF-28 SFF – 600 cps 1.5 kcps
SMF-28 DI – 500 cps 1 kcps
MMF-50GI – 2.6 kcps 5 kcps
冷却温度 225 K – 243 K
バイアス電圧(Vex)範囲 フリーゲート
フリーラン
2 V – 5 V
固定ゲート 2 V – 7 V
ホールドオフ時間 10 nsステップ 1 us – 3000 us
ゲート幅 1 nsステップ 1 ns – 1.5 ms
内部カウントレート 1 Hzステップ 100 Hz – 100 MHz
遅延設定 1 nsステップ 0 – 100 ns
積算時間 20 msステップ 0.1 s – 60 s
NIM出力信号(Ptohon OUT) 振幅 -800 mV – 0 V
パルス幅 – 10 ns –
インピーダンス – 50 Ω –
TTL出力信号(カウントレート) 振幅 0 V – 2.7 V
インピーダンス – 50 Ω –
ゲート入力 振幅 -2 V – 2.5 V
パルス幅 800 ps – –
インピーダンス – 50 Ω –
インターフェイス – USB2.0 –

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