製品概要
本レーザーは、優れたビーム品質、平均出力（80W @ 1064nm(IR)、 40W @ 532nm、30W @355nm(UV)）、パルスエネルギー（200μJ @ 1064nm、100μJ @ 532nm、75μJ @355nm）および繰返し周波数（最大1MHzまで向上）の特長を有するため、高精度かつ高スループットな加工を実現します。
LCDまたはOLEDディスプレイの切断および穴あけ、レーザー誘起転写法（LIFT）、ガラスおよびサファイア加工、超硬のマイクロマシニング、シリコンスクライビング、太陽電池スクライビングなど、さまざまな微細加工がおこなえます。
産業用高出力UVレーザーは、システムの信頼性とコストパフォーマンスが重要視されています。Atlantic UVの光学系は、UV領域での使用に最適化されており高い安定性を発揮しています。また動作時間は8,000時間保証されています。
また、2-in-1のオプション機能を付けることにより、ピコ秒モードとナノ秒モードの両方で使用できるようになります。
このオプション機能は、ガラスやセラミックなどの材料加工に適しています。
優れたレーザー制御機能により、繰り返し周波数とパルスエネルギーの可変、パルス外部同期が行えます。加工の要求に合わせて最適化が行えます。また、ポリゴンスキャナーのための位置同期出力（PSO）も備えています。
特長
- UV用オプティクス 8000時間保証
- 平均出力：最大80W @ 1064nm
- 繰返し周波数：最大1MHz
- パルスエネルギー：200μJ @ 1064nm
- パルス幅：10 ps
- 優れたビーム品質 （TEM00 M2＜1.3）
- 優れたコストパフォーマンス
- ナノ秒パルス幅切り換え(オプション)
用途
- 掘削
- ポリマーの切断と穴あけ
- パターニング
- 構造化
- アブレーション
- ダイシング
- 微細加工
- 光重合
- LCD、OLEDディスプレイの切断および穴あけ
- LIFT
- ガラスおよびサファイアの構造化とダイシング
- セラミックス微細加工
- PCDのドリルとトレース
- シリコンスクライビング
- 太陽電池スクライビング
- PET、PP、PTFE、シリコーンの切断と穴あけ
材料
- 各種金属
- ガラス、セラミック、サファイア、PCDなどの脆性材料
- ケイ素
- PET、PP、PI、PTFE
- シリコーン
- PCB
- LCD、LED、OLED、microLEDディスプレイパネル
- 太陽電池
微細加工事例
切断/構造成型
ニチノールのステントカット
PMMAの構造成型
インバー薄膜のスロットカット
LCDガラスフィルターのカット
SCM420の貫通穴あけ
サンプル表面
サンプル裏面
サンプル断面
薄膜太陽電池のパターニング加工(CIGS)
P3(355nm、50kHz、300mm/s), 赤部を拡大
薄膜太陽電池のパターニング加工(アモルファスシリコン)
P1(1064nm、100kHz、800mm/s)
P2(532nm、100kHz、900mm/s)
P3(532nm、100kHz、900mm/s), 赤部を拡大
仕様
| 型名 | Atlantic 50 | Atlantic 80 |
|---|---|---|
| 中心波長 | 1064 nm, 532 nm, 355 nm 出力波長を複数選択可能(オプション) |
|
| 繰返し周波数 | 300～1000 kHz | 400～1000 kHz |
| 分周機能 | 繰返し周波数÷1, 2, 3 〜 1025 | |
| 最大平均出力 | ||
| 1064 nm | 50 W | 80 W |
| 532 nm | 25 W | 40 W |
| 355 nm | 18 W | 30 W |
| パルスエネルギー | ||
| 1064 nm | 165 µJ | 200 µJ |
| 532 nm | 85 µJ | 100 µJ |
| 355 nm | 60 µJ | 75 µJ |
| パルスコントラスト | ||
| 1064 nm | > 300 : 1 | |
| 532 nm | > 500 : 1 | |
| 355 nm | > 1000 : 1 | |
| 出力安定性 (8時間運転、標準偏差) |
< 1.0 % | |
| パルスエネルギー安定性 (標準偏差) | ||
| 1064 nm | < 1.0 % | |
| 532 nm | < 2.0 % | |
| 355 nm | < 2.5 % | |
| パルス幅 (FWHM, 1064 nm) |
10 ± 3 ps | |
| 偏光 | 直線, 縦横比 100 : 1 | |
| ビーム品質 | < 1.3 | |
| ビーム楕円率 | > 0.85 | |
| ビーム発散角 | < 1.5 mRad | |
| ビーム位置安定性 | < 50 µRad | |
| ビーム経(1/e2、アパーチャーから50cmの位置) | ||
| 1064 nm | 1.8 ± 0.3 mm | |
| 532 nm | 2.2 ± 0.3 mm | |
| 355 nm | 2.0 ± 0.3 mm | |
| トリガー | 内部 / 外部 | |
| 出力制御 | 周波数分周器, パルスピッカー, 振幅コントロール, パワーアッテネーター |
|
| システム インターフェース |
keypad / USB / RS232 / LAN | |
| ユーティリティ | ||
| 動作電圧 | 100…240 V AC, 単相 47...63 Hz | |
| 最大消費電力 | < 3.1 kW | < 3.5 kW |
| 温度 | 18～27 °C | |
| 湿度 | 10～80 % (結露なきこと) | |
| 大気レベル | ISO 9 (room air) or better | |
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| 更新日 | 更新内容 | サイズ | ダウンロード |
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