【特別価格のお知らせ】
対象製品は完売いたしました。ありがとうございました。
製品概要
iStar sCMOSは、ナノ秒の現象を最大1000倍増幅可能な電子シャッター（イメージインテンシファイア）で取得する、高時間分解＆高感度カメラです。
従来のイメージインテンシファイア搭載CCD検出器iStarと異なるのは、高画素、高フレームレート、高ダイナミックレンジのsCMOSセンサーを搭載しており、全画素読出しでフレームレートが50fpsと、従来のICCDと比べて10倍向上させている点です。
このフレームレートと内蔵のデジタル遅延パルス発生器により、従来では画素数もしくは空間分解能を落とす必要があった10Hz以上のパルスレーザーとの同期測定も容易に行えるようになりました。
特長
- 最速2ns、1000倍ゲイン電子シャッター
- 2560×2160素子＆ファイバーカップリングで高空間分解能
- フレームレート 50fps(full image), 203fps(512x512), 4008fps(2560x8)
- ダブルシャッター搭載でシャッターon/off比108
- デジタル遅延パルス発生器標準搭載
- PIVモードでフレーム間隔300ns
- オンチップ多重露光機能搭載（Intgrate-On-Chip)
- オンヘッドで分光モード、マルチトラックモード切替可能
主な用途
- プラズマ測定
- PLIF
- LIBS
- PIV
- LIDAR
- その他時間分解イメージング
サンプル動画アドレスへリンク
Andor TechnologのWebサイトからサンプル動画または画像がご覧いただけます。
用途にあわせた特注ソフトウェア
東京インスツルメンツではお客様の用途に最適なソフトウェアの開発をおこなっております。下記は特注ソフトウェアの一例です。ご相談ください。
デュアル検出器データ表示ソフトウェア
Andor TechnologyのEMCCD検出器(iXon)を2台使用して、2波長同時計測、2アングルの同時計測
ナノ秒時間分解・超高感度カメラ iStar sCMOS 仕様
| 型名 | iStar sCMOS | ||
|---|---|---|---|
| 素子数 | 2560 × 2160 | ||
| 素子サイズ | 6.5μm | ||
| センサーサイズ | 16.6 × 14.0mm | ||
| 読出しノイズ (med/rms) | 2.3e-/2.5e-@200MHz | ||
| 2.4e-/2.6e-@560MHz | |||
| 暗電流 （e-/pixel/s） | 0.18 | ||
| 冷却性能 | 空冷 | 0℃ | |
| 水冷 | 0℃ | ||
| インターフェイス | USB 3.0 | ||
| 内部メモリ | 1GB | ||
イメージインテンシファイア(GENⅡ)
| 型名 I.I. |
GENⅡ | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 18-03 | 18-04 | 18-05 | 18-13 | 18-83 | 18-E3 | |||
| 直径 | 18 mm | |||||||
| グレーティング速度*5 | U | <2 ns | <2 ns | <5 ns | - | - | <2 ns | |
| F | <5 ns | <5 ns | <10 ns | - | - | <5 ns | ||
| H | - | - | - | <50 ns | <100 ns | - | ||
| フォトカソード | W | W | W | WR | UW | WE | ||
| 入射ウインドウ | Quartz | Quartz | MgF2 | Quartz | Quartz | Quartz | ||
| 検出波長 | 180～ 850 nm |
180～ 850 nm |
120～ 850 nm |
180～ 920 nm |
180～ 850 nm |
180～ 850 nm |
||
| フォスファー | P43 | P46 | P43 | P43 | P43 | P43 | ||
| フォスファーデイケイ時間*6 | 2 ms | 200 ns | 2 ms | 2 ms | 2 ms | 2 ms | ||
| 最大ゲート繰返し速度(intelligte off 時) | 500 kHz | |||||||
| 最大量子効率(代表値) | 18% | 18% | 15% | 13.5% | 25% | 22% | ||
| 最大ゲイン (cts/photoe-,代表値)*7 |
>1000 | >500 | >1000 | >850 | >500 | >300 | ||
| 分解能 (代表値)*8 |
25 μm | 25 μm | 25 μm | 25 μm | 25 μm | 25 μm | ||
| EBI (e-/pixel/sec,代表値) |
<0.2 | <0.2 | <0.2 | <0.4 | <0.2 | <0.2 | ||
イメージインテンシファイア(GENⅢ)
| 型名 I.I. |
GENⅢ | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 18-63 | 18-73 | 18-93 | 18-A3 | ||
| 直径 | 18 mm | ||||
| グレーティング速度*5 | U | <2 ns | <2 ns | <3 ns | <2 ns |
| F | <5 ns | <5 ns | <5 ns | <5 ns | |
| H | - | - | - | - | |
| フォトカソード | HVS | VIH | NIR | EVS | |
| 入射ウインドウ | Glass | Glass | Glass | Glass | |
| 検出波長 | 280～ 760 nm |
280～ 910 nm |
380～ 1090 nm |
280～ 810 nm |
|
| フォスファー | P43 | P43 | P43 | P43 | |
| フォスファーデイケイ時間*6 | 2 ms | 2 ms | 2 ms | 2 ms | |
| 最大ゲート繰返し速度(intelligte off 時) | 500 kHz | ||||
| 最大量子効率(代表値) | >50% | >30% | >5% | >40% | |
| 最大ゲイン (cts/photoe-,代表値)*7 |
>200 | >200 | >200 | >200 | |
| 分解能 (代表値)*8 |
30 μm | 30 μm | 30 μm | 30 μm | |
| EBI (e-/pixel/sec,代表値) |
<0.1 | <0.3 | <2 | <0.2 | |
- *5. ゲーティング速度はオプティカルゲート半値幅（FWHM）であり、電気信号的な半値幅ではありません。
- *6. フォスファーディケイ時間（10%まで）は、P43で2 ms、P46で200 nsです。
100 Hz以上の高速時間分解計測の場合はP46を推奨します。 - *7. 最大ゲインは、フォトカソードに発生したphotoelectron に対するA/D counts値です。
- *8. イメージインテンシファイアの代表値です。iStar sCMOSの総合分解能ではありません。
分解可能な最小半値幅はピクセルサイズの約1.5倍が目安となります。
フォトカソードの量子効率曲線
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| 更新日 | 更新内容 | サイズ | ダウンロード |
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