2~12μm用高速Photodiode検出器
赤外線用HgCdTe/InSb検出器(光起電力型)

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赤外線用HgCdTe/InSb検出器(光起電力型) 赤外線用HgCdTe/InSb検出器(光起電力型)

製品概要

Kolmar社のPhotovoltatic(光起電力型)検出器は、2 ~12µm用のHgCdTeと2 ~ 6µmのInSbのセンサ -を使用しています。Photodiodeセンサ-のため高速立上りおよび高繰返しでの測定が行えます。 用途に応じてセンサ-サイズやプリアンプ付・なしのデュワーを選択できます。

用途

・レ-ザ-レ-ダ-
・ガス分析検出
・FTIR
・化学的エアロゾル検出
・レンジファインダ-
・IR DIAL
・TRS

特長

・検出波長領域 2 ~ 10 µm(HgCdTe)、2~ 6 µm(InSb)
・バンド幅 DC ~ 20 M / 50 MHz、最大500 MHz以上(HgCdTe)、100 ~ 15 MHz(InSb)
・素子サイズ 0.05×0.05 mm~2×2 mm(HgCdTe)、  0.5×0.5 mm~2×2 mm(InSb)
・立上り時間 7 ns ~
・液体窒素冷却
・プリアンプ付デュワータイプもあり

赤外線用HgCdTe/InSb検出器(光起電力型)仕様

型名 KV104 KLD KMPV KISD
センサ- HgCdTe InSb
素子サイズ(mm2 1.0, 0.5, 0.25, 0.1 2.0, 1.0, 0.5 1.0, 0.5, 0.25 2.0, 1.0, 0.5
量子効率(%) >50 >75 >50 >75
カットオフ波長(µm) 8 ~ 12.3 8.5 ~ 11.5 8 ~ 11.5 5.4
周波数帯域(Hz) >20 M(>500 Mタイプあり) DC ~ 5 M DC ~ 50 M 100 ~ 15 M
視野角(°) 60
(30, 45はオプション)
60
(15, 30, 45はオプション)
D(*jones, 代表値) 3×1010 4×1010~ 8×1010 2×1010~ 6×1010 1.5×1011
感度 >4(A / W) >40(A / W) >16(A / W)
または>40(A / W)
3(A / W)
または3E4 ~ 3E6(V / W)
デュワータイプ A(プリアンプなし) J1(プリアンプあり) J1(プリアンプあり) AまたはJ1
 

型名説明
型名
a:検出器タイプ
b:素子サイズ
c:デュワータイプ
d:窓タイプ
  1=ZnSe 10.6 µm ARC
  2=BaF2
  3=ZnSe 2 ~ 12 µBBAR

感度曲線図HgCdTeフォトダイオード 感度曲線図InSbPV

プリアンプ(HgCdTe/InSb用)

KV104シリーズ用プリアンプ

型名 タイプ ゲイン(V/A) 周波数帯域 出力(V pp)
KA020-A1A TIA + bias 1×104 100 ~ 20 MHz 20
KA020-A1 TIA + bias 1×104 DC ~ 20 MHz 20
KA020-A1 TIA + bias 4×103 DC ~ 50 MHz 20
KA100-A1 TIA + bias 4×103 DC ~ 100 MHz 8

KISDシリーズ用プリアンプ

型名 タイプ ゲイン(V/A) 周波数帯域 出力(V pp)
KA020-C1 TIA + bias 1×104 DC ~ 10 MHz 20
KA05-C1 TIA + bias 5×104 DC ~ 5 MHz 20
KA03-C1 TIA + bias 1×105 DC ~ 3 MHz 20
KA01-E6-AG 1-2-5-10step可変+bias 1×105~ 1×107 DC ~ 1 MHz 20

ポストアンプ ゲインおよびラインドライバー用

型名 タイプ ゲイン( /Rd V/V) 周波数帯域 出力(V pp)
KA100-E1 Buffer 1 DC ~ 100 MHz 20
KA100-E2 Buffer 20 DC ~ 100 MHz 20
KA100-E3 Buffer 2 DC ~ 100 Hz 20
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